1N4749A-TR中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
击穿电压 24.0 V
针脚数 2
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 1.3 W
测试电流 10.5 mA
稳压值 24 V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
长度 4.1 mm
宽度 2.6 mm
高度 4.1 mm
封装 DO-41
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 车用, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
1N4749A-TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买1N4749A-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 1N4749A-TR | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY 1N4749A-TR 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 24 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 搜索库存 |
替代型号1N4749A-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 1N4749A-TR 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-41 24V | 当前型号 | VISHAY 1N4749A-TR 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 24 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 当前型号 |
| 型号： 1N4749A-T 品牌： 威世 封装： DO-41 24V | 类似代替 | DIODES INC. 1N4749A-T 单管二极管 齐纳, 1N47系列, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 1N4749A-TR和1N4749A-T的区别 |
| 型号： 1N4749A 品牌： 飞兆/仙童 封装： DO-41 24V 24V | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 1N4749A 单管二极管 齐纳, 24 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °C | 1N4749A-TR和1N4749A的区别 |
| 型号： 1N4749A-TP 品牌： 美微科 封装： DO-41 24V | 功能相似 | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS 1N4749A-TP 齐纳二极管, 1W, 24V, DO-41 | 1N4749A-TR和1N4749A-TP的区别 |