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1PMT12AT1G

1PMT12AT1G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  1PMT12AT1G  TVS Diode, 1PMT Series, Unidirectional, 12 V, 19.9 V, DO-216AA, 2 Pins 新

**Zener Transient Voltage Suppressor in POWERMITE® Package**

The 1PMT5.0AT1G/T3G Series is designed to protect voltage sensitive components from high voltage, high energy transients. Excellent clamping capability, high surge capability, low Zener impedance and fast response time.


欧时:
### 齐纳瞬态电压抑制器,采用 POWERMITE® 封装1PMT5.0AT1G/T3G 系列设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:200W @ 1 ms 1PMT5.0A − 1PMT36A 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 响应时间通常为 3 类 ESD 等级> 16kV/个人体模型 薄型 - 最大高度 1.1mm 整体式散热片/锁定插片 全金属底部,可消除通量截留 小体积 - 占用面积 8.45mm POWERMITE 在 JEDEC 注册为 DO-216AA ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Allied Electronics:
1PMT12AT1G, Uni-Directional TVS Diode, 200W, 2-Pin Case 457-04


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Verical:
ESD Suppressor TVS 12V 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  1PMT12AT1G  TVS DIODE, 200W, 12V, UNIDIR, DO-216AA


罗切斯特:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin1+Tab Power Mite T/R


Win Source:
TVS DIODE 12VWM POWERMITE


1PMT12AT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定功率 200 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 13.3 V

电路数 1

针脚数 2

钳位电压 19.9 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 14.7 V

脉冲峰值功率 200 W

最小反向击穿电压 13.3 V

击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-216AA

外形尺寸

长度 2.18 mm

宽度 2.05 mm

高度 1.15 mm

封装 DO-216AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

1PMT12AT1G引脚图与封装图
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在线购买1PMT12AT1G
型号 制造商 描述 购买
1PMT12AT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  1PMT12AT1G  TVS Diode, 1PMT Series, Unidirectional, 12 V, 19.9 V, DO-216AA, 2 Pins 新 搜索库存
替代型号1PMT12AT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 1PMT12AT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: POWERMITE 12V 200W

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  1PMT12AT1G  TVS Diode, 1PMT Series, Unidirectional, 12 V, 19.9 V, DO-216AA, 2 Pins 新

当前型号

型号: 1PMT12AT3

品牌: 安森美

封装: DO-216AA

类似代替

齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

1PMT12AT1G和1PMT12AT3的区别

型号: 1PMT12AT3G

品牌: 安森美

封装: DO-216AA

类似代替

齐纳瞬态电压抑制器POWERMITE套餐 Zener Transient Voltage Suppressor POWERMITE Package

1PMT12AT1G和1PMT12AT3G的区别

型号: 1PMT12AT1

品牌: 安森美

封装: Power 12V 175W

功能相似

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1PMT12AT1G和1PMT12AT1的区别