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ZXTN25020DZTA

ZXTN25020DZTA

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Diodes(美台) 分立器件

Trans GP BJT NPN 20V 6A 4460mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

If your circuit"s specifications require a device that can handle high levels of voltage, Zetex"s NPN general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 4460 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 20 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

ZXTN25020DZTA中文资料参数规格
技术参数

频率 215 MHz

极性 NPN

耗散功率 4.46 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 2.4 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4460 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

ZXTN25020DZTA引脚图与封装图
ZXTN25020DZTA引脚图

ZXTN25020DZTA引脚图

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ZXTN25020DZTA Diodes 美台 Trans GP BJT NPN 20V 6A 4460mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R 搜索库存