ZVN0124A
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
ZVN0124A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 240 V
额定电流 160 mA
漏源极电阻 16.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
输入电容 85.0 pF
漏源极电压Vds 240 V
漏源击穿电压 240 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 160 mA
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 85pF @25VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.77 mm
宽度 2.41 mm
高度 4.01 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ZVN0124A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号ZVN0124A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ZVN0124A 品牌： Diodes 美台 封装： TO-92-3 N-Channel 240V 160mA 16Ω 85pF | 当前型号 | MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3 | 当前型号 |
| 型号： BSS123-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω | 功能相似 | 三极管 | ZVN0124A和BSS123-7-F的区别 |
| 型号： DMG6968U-7 品牌： 美台 封装： SOT23-3 N-Channel 20V 6.5A | 功能相似 | DMG6968 系列 20 V 25 mOhm N 沟道 增强模式 晶体管 SOT-23-3 | ZVN0124A和DMG6968U-7的区别 |
| 型号： 2N7002K-7 品牌： 美台 封装： SOT-23 N-Channel 60V 300mA | 功能相似 | 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3 | ZVN0124A和2N7002K-7的区别 |