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XRNI12W
(SunLED) 探测器

LED 5MM PHOTOTRANS WTR CLEAR TH

Phototransistors Top View Radial


得捷:
SENSOR PHOTO TOP VIEW RADIAL


Verical:
Phototransistor 2-Pin T-1 3/4 Bag


CDI:
5mm, Round, Through-hole Phototransistor


XRNI12W中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.1 W

上升时间 15 ns

击穿电压集电极-发射极 30 V

额定功率Max 100 mW

下降时间 15 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 T-1

外形尺寸

高度 8.6 mm

封装 T-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

XRNI12W引脚图与封装图
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