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VP3203N8-G

VP3203N8-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 分立器件

SOT-89P-CH 30V 1.1A

In addition to amplifying electronic signals, you"ll be able to switch between various lines with the power MOSFET, developed by Technology. Its maximum power dissipation is 1600 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

VP3203N8-G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.6 W

极性 P-CH

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.1A

输入电容Ciss 300pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

VP3203N8-G引脚图与封装图
VP3203N8-G引脚图

VP3203N8-G引脚图

VP3203N8-G封装图

VP3203N8-G封装图

VP3203N8-G封装焊盘图

VP3203N8-G封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
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替代型号VP3203N8-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VP3203N8-G

品牌: Microchip 微芯

封装: SOT89-3 P-CH 30V 1.1A

当前型号

SOT-89P-CH 30V 1.1A

当前型号

型号: TN2504N8-G

品牌: 微芯

封装: SOT-89 N-Channel 40V 890mA 1Ω

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VP3203N8-G和TN2504N8-G的区别