UMH3NFHATN
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UMH3NFHATN中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
UMH3NFHATN引脚图与封装图 
UMH3NFHATN引脚图
UMH3NFHATN封装图
UMH3NFHATN封装焊盘图
在线购买UMH3NFHATN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UMH3NFHATN | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM UMH3NFHATN 晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-353 新 | 搜索库存 |
替代型号UMH3NFHATN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UMH3NFHATN 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-353 NPN | 当前型号 | ROHM UMH3NFHATN 晶体管 双极预偏置/数字, 双路NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-353 新 | 当前型号 |
| 型号： UMH3NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 150mW | 功能相似 | ROHM UMH3NTN 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 250 hFE, SOT-363 | UMH3NFHATN和UMH3NTN的区别 |