UMG7NTR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT PNP 50V 100mA 6Pin

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 UMT5

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA 6PIN

Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

UMG7NTR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 UMT-5

外形尺寸

封装 UMT-5

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UMG7NTR引脚图与封装图

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