锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

UNR31A5G0L

UNR31A5G0L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

特点•内置电阻晶体管 •PNP硅外延刨床晶..

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -80mA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 160 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 80MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.1W/100mW Description & Applications| Features •Transistors with built-in Resistor •Silicon PNP epitaxial planer transistor •Suitable for high-density mounting and downsizing of the equipment •Contribute to low power consumption 描述与应用| 特点 •内置电阻 •PNP硅外延刨床晶体管 •适用于高密度安装和精简的设备 •有助于低功耗

UNR31A5G0L中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 50mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR31A5G0L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买UNR31A5G0L
型号 制造商 描述 购买
UNR31A5G0L Panasonic 松下 特点•内置电阻晶体管 •PNP硅外延刨床晶.. 搜索库存