USBQNM50403E3/TR7
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
USBQNM50403E3/TR7中文资料参数规格
技术参数
钳位电压 11 V
最大反向电压（Vrrm） 3.3V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 500 W
最小反向击穿电压 4 V
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 125℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 VDFN-4
外形尺寸
高度 0.92 mm
封装 VDFN-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 以太网
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
USBQNM50403E3/TR7引脚图与封装图
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在线购买USBQNM50403E3/TR7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| USBQNM50403E3/TR7 | Microsemi 美高森美 | QFN-143 3.3V 500W | 搜索库存 |
替代型号USBQNM50403E3/TR7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： USBQNM50403E3/TR7 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 4-VDFN | 当前型号 | QFN-143 3.3V 500W | 当前型号 |
| 型号： USBQ50403E3/TR7 品牌： 美高森美 封装： QFN-143 | 类似代替 | TVS DIODE | USBQNM50403E3/TR7和USBQ50403E3/TR7的区别 |