
通道数 1
耗散功率 725 mW
输入补偿漂移 6.00 µV/K
带宽 5.80 MHz
转换速率 10.0 V/μs
增益频宽积 5.80 MHz
输入补偿电压 2.6 mV
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.91 mm
高度 1.58 mm
封装 SOIC-8
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TLE2161AIDRG4 | TI 德州仪器 | 运算放大器 - 运放 Excalibur JFET-Input Hi-Out-Drive uPower | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TLE2161AIDRG4 品牌: TI 德州仪器 封装: SOIC 5.8MHz 1Channel 8Pin | 当前型号 | 运算放大器 - 运放 Excalibur JFET-Input Hi-Out-Drive uPower | 当前型号 | |
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型号: TLE2161AIDR 品牌: 德州仪器 封装: SOIC 6.4MHz 1Channel 8Pin | 类似代替 | 运算放大器 - 运放 Excalibur JFET-Input Hi-Out-Drive uPower | TLE2161AIDRG4和TLE2161AIDR的区别 |