TK42E12N1,S1XS
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Toshiba
东芝
分立器件
TK42E12N1,S1XS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 88A
上升时间 18 ns
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 140 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TK42E12N1,S1XS引脚图与封装图 
TK42E12N1,S1XS引脚图
TK42E12N1,S1XS封装图
TK42E12N1,S1XS封装焊盘图
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| TK42E12N1,S1XS | Toshiba 东芝 | MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba | 搜索库存 |