TK56E12N1,S1X

Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n Ch 120V 56A To-220

通孔 N 通道 120 V 56A（Ta） 168W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N CH 120V 56A TO-220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 120V 112A 3-Pin3+Tab TO-220 Magazine

Win Source:
MOSFET N CH 120V 56A TO-220

TK56E12N1,S1X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 168 W

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 4200pF @60VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 168W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TK56E12N1,S1X引脚图与封装图

TK56E12N1,S1X引脚图

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