TK6A60W,S4VX

Toshiba(东芝) 分立器件

MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12NC

通孔 N 通道 600 V 6.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Magazine

TK6A60W,S4VX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 390pF @300VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

TK6A60W,S4VX引脚图与封装图

TK6A60W,S4VX引脚图

TK6A60W,S4VX封装图

TK6A60W,S4VX封装焊盘图

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TK6A60W,S4VX	Toshiba 东芝	MOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12NC	搜索库存