TK7P60W5,RVQ

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin DPAK

N-Channel 600V 7A Ta 60W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

贸泽:
MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

TK7P60W5,RVQ中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 540 mΩ

耗散功率 60 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 490pF @300VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK7P60W5,RVQ引脚图与封装图

TK7P60W5,RVQ引脚图

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