TK9A90E,S4X

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3Pin TO-220SIS

N-Channel 900V 9A Ta 50W Tc Through Hole TO-220SIS

得捷:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 9A 3-Pin3+Tab TO-220SIS Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS / N-Channel 900 V 9A Ta 50W Tc Through Hole TO-220SIS

TK9A90E,S4X中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 900 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

TK9A90E,S4X引脚图与封装图

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