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SI2315BDS-T1

SI2315BDS-T1

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件
SI2315BDS-T1中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SI2315BDS-T1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2315BDS-T1 Vishay Siliconix MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W 搜索库存
替代型号SI2315BDS-T1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI2315BDS-T1

品牌: Vishay Siliconix

封装: SOT-23-3

当前型号

MOSFET 1.8V 3.2A 1.25W

当前型号

型号: SI2333DS-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-236-3

功能相似

MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDSON 0.025Ω; ID -4.1A; TO-236 SOT-23; PD 0.75W

SI2315BDS-T1和SI2333DS-T1-E3的区别

型号: SI2333CDS-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-236-3

功能相似

TRANS MOSFET P-CH 12V 5.1A 3Pin SOT-23T/R

SI2315BDS-T1和SI2333CDS-T1-E3的区别

型号: SI2315BDS-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO236

功能相似

TRANSISTOR 3000mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal

SI2315BDS-T1和SI2315BDS-T1-E3的区别