SMBJ8.0CHE3/5B中文资料参数规格
技术参数
工作电压 8 V
击穿电压 8.89 V
钳位电压 15 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 8.89 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMBJ8.0CHE3/5B引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMBJ8.0CHE3/5B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMBJ8.0CHE3/5B | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 600W 8V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMBJ8.0CHE3/5B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMBJ8.0CHE3/5B 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 600W 8V 10% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMBJ8.0CAHE3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 600W 2Pin SMB T/R | SMBJ8.0CHE3/5B和SMBJ8.0CAHE3/52的区别 |
| 型号： SMBJ8.0CAHE3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 800W Bidir TransZorb 5% Tol | SMBJ8.0CHE3/5B和SMBJ8.0CAHE3/5B的区别 |
| 型号： SMBJ8V0CA 品牌： 台湾半导体 封装： | 功能相似 | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V VRWM, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN | SMBJ8.0CHE3/5B和SMBJ8V0CA的区别 |