![SMCJ45-E3/9AT](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_363/chanpintu/smcj45-e39at-01ycs5mv-EqmmENr1q.png)
SMCJ45-E3/9AT中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 50 V
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 80.3 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 50 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AB
外形尺寸
封装 DO-214AB
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SMCJ45-E3/9AT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SMCJ45-E3/9AT
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SMCJ45-E3/9AT | Vishay Semiconductor 威世 | TVS 1.5kW UNIDIR 45V 5% SMC | 搜索库存 |
替代型号SMCJ45-E3/9AT
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SMCJ45-E3/9AT 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | TVS 1.5kW UNIDIR 45V 5% SMC | 当前型号 | |
型号: SMCJ45A-E3/9AT 品牌: 威世 封装: DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Uni-Dir 45V 1.5kW 2Pin SMC T/R | SMCJ45-E3/9AT和SMCJ45A-E3/9AT的区别 |