SI7186DP-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI7186DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 5.2W Ta, 64W Tc
漏源极电压Vds 80 V
输入电容Ciss 2840pF @40VVds
耗散功率Max 5.2W Ta, 64W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAKSO-8
外形尺寸
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7186DP-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7186DP-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7186DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8 | 搜索库存 |
替代型号SI7186DP-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7186DP-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK-SO-8 | 当前型号 | MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8 | 当前型号 |
| 型号： SI7186DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT N-Channel 80V 32A | 类似代替 | MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8 | SI7186DP-T1-E3和SI7186DP-T1-GE3的区别 |
| 型号： SIR880ADP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAK N-Channel | 功能相似 | Single N-Channel 80V 8.9mOhm 24NC 83W SMT Mosfet - PowerPAK SO-8 | SI7186DP-T1-E3和SIR880ADP-T1-GE3的区别 |