极性 N-Channel
耗散功率 3.1W Ta, 31W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输入电容Ciss 1610pF @15VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 31W Tc
安装方式 Surface Mount
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI5482DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI5482DU-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: N-Channel 30V 12A | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | 当前型号 | |
型号: SI5482DU-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 完全替代 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | SI5482DU-T1-GE3和SI5482DU-T1-E3的区别 | |
型号: SI5418DU-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: N-Channel 30V 12A | 功能相似 | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET | SI5482DU-T1-GE3和SI5418DU-T1-GE3的区别 | |
型号: SI5456DU-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 功能相似 | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | SI5482DU-T1-GE3和SI5456DU-T1-GE3的区别 |