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SM8S24A-E3/2D
SM8S24A-E3/2D中文资料参数规格
技术参数

钳位电压 38.9 V

脉冲峰值功率 6600 W

最小反向击穿电压 26.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-218AB

外形尺寸

封装 DO-218AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

SM8S24A-E3/2D引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SM8S24A-E3/2D Vishay Semiconductor 威世 TVS 8W 24V 5% DO-218AB 搜索库存
替代型号SM8S24A-E3/2D
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SM8S24A-E3/2D

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: DO-218AB

当前型号

TVS 8W 24V 5% DO-218AB

当前型号

型号: SM8S24AHE3/2E

品牌: 威世

封装: DO-218AB

完全替代

Diode TVS Single Uni-Dir 24V 6.6kW 2Pin DO-218AB T/R

SM8S24A-E3/2D和SM8S24AHE3/2E的区别

型号: SM8S24AHE3/2D

品牌: 威世

封装: DO-218AB

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