SIHH14N60EF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 5
漏源极电阻 0.231 Ω
耗散功率 147 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 5
封装 PowerPAK
外形尺寸
封装 PowerPAK
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHH14N60EF-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIHH14N60EF-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHH14N60EF-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.231 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |