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SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

数据手册.pdf
SIHH14N60EF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.231 Ω

耗散功率 147 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 5

封装 PowerPAK

外形尺寸

封装 PowerPAK

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SIHH14N60EF-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIHH14N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIHH14N60EF-T1-GE3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.231 ohm, 10 V, 4 V 新 搜索库存