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STF25N80K5

STF25N80K5

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 800 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STF25N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 40000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with supermesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


STF25N80K5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 260 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 40 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 19.5A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 1600pF @100VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.6 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STF25N80K5引脚图与封装图
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