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STU6N60M2

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STU6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


艾睿:
Compared to traditional transistors, STU6N60M2 power MOSFETs, developed by STMicroelectronics, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 60000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK / N-Channel 600 V 4.5A Tc 60W Tc Through Hole TO-251 IPAK


STU6N60M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 7.4 ns

输入电容Ciss 232pF @100VVds

下降时间 22.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STU6N60M2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STU6N60M2 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存