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SGB30N60
Infineon 英飞凌 分立器件
SGB30N60中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SGB30N60引脚图与封装图
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SGB30N60 Infineon 英飞凌 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology 搜索库存