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STH410N4F7-6AG

STH410N4F7-6AG

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STH410N4F7-6AG  MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V 新

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6


欧时:
### N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻,降低了内部电容和栅极电荷,提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 A, 40 V, 800 µohm, 10 V, 4.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A 6-Pin H2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 7-Pin6+Tab H2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STH410N4F7-6AG  MOSFET, N-CH, 40V, 200A, H2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 / N-Channel 40 V 200A Tc 365W Tc Surface Mount H2PAK-6


STH410N4F7-6AG中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

极性 N-Channel

耗散功率 365 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 200A

上升时间 198 ns

输入电容Ciss 11500pF @25VVds

下降时间 44.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 365W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 8.9 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.8 mm

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STH410N4F7-6AG引脚图与封装图
STH410N4F7-6AG引脚图

STH410N4F7-6AG引脚图

STH410N4F7-6AG封装图

STH410N4F7-6AG封装图

STH410N4F7-6AG封装焊盘图

STH410N4F7-6AG封装焊盘图

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STH410N4F7-6AG ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STH410N4F7-6AG  MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V 新 搜索库存