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STU2N80K5

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK


立创商城:
N沟道 800V 2A


欧时:
### N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in IPAK package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 800 V, 3.5 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STU2N80K5 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 45000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with supermesh 5 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


儒卓力:
**N-CH 800V 2A 4500mOhm TO251 **


STU2N80K5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 Ω

耗散功率 45 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 105pF @100VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

STU2N80K5引脚图与封装图
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