STL16N60M2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 52 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 704pF @100VVds
下降时间 18.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
外形尺寸
封装 PowerVDFN-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STL16N60M2引脚图与封装图
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| STL16N60M2 | ST Microelectronics 意法半导体 | Power N-CH 600V 8A | 搜索库存 |