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STP5N52K3

STP5N52K3

数据手册.pdf

525V,1.2?,4.4A,N沟道功率MOSFET

The is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET made using the Power MOSFET technology. It is obtained via improvements applied to SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The device has an extremely low ON-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, making it especially suitable for the most demanding applications.

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100% Avalanche tested
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Extremely high dV/dt capability
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Gate charge minimized
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Very low intrinsic capacitances
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Improved diode reverse recovery characteristics
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Zener-protected
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-55 to 150°C Operating junction temperature range
STP5N52K3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 525 V

连续漏极电流Ids 4.4A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 450pF @100VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP5N52K3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP5N52K3 ST Microelectronics 意法半导体 525V,1.2?,4.4A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号STP5N52K3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP5N52K3

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 525V 4.4A

当前型号

525V,1.2?,4.4A,N沟道功率MOSFET

当前型号

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封装： TO-220 N-Channel 5.5A

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