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STD16N50M2

STD16N50M2

数据手册.pdf

N沟道 500V 13A

表面贴装型 N 通道 500 V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-252,(D-Pak)


得捷:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252


立创商城:
N沟道 500V 13A


贸泽:
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STD16N50M2 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 110000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh m2 technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
N-沟道 500 V 13 A 0.28 Ohm 表面贴装 MDmesh™ M2 功率 Mosfet - DPAK-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


STD16N50M2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 7.6 ns

输入电容Ciss 710pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD16N50M2引脚图与封装图
STD16N50M2引脚图

STD16N50M2引脚图

STD16N50M2封装图

STD16N50M2封装图

STD16N50M2封装焊盘图

STD16N50M2封装焊盘图

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