STD45P4LLF6AG中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 P-CH
耗散功率 58 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 35.5 ns
输入电容Ciss 3525pF @25VVds
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 58W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
STD45P4LLF6AG引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STD45P4LLF6AG | ST Microelectronics 意法半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.012 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |