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STP140N8F7

STP140N8F7

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N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N8F7, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
STP140N8F7


得捷:
MOSFET N-CH 80V 90A TO-220


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 80 V, 90 A, 0.0035 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STP140N8F7 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 200000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with stripfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 80 V 4.3 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


儒卓力:
**N-CH 80V 64A 3,5mOhm TO220-3 **


力源芯城:
80V,90A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 90A TO-220


STP140N8F7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0035 Ω

耗散功率 200 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 51 ns

输入电容Ciss 6340pF @40VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 44 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP140N8F7引脚图与封装图
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STP140N8F7 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存