STD65N55LF3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 110 W
输入电容 2200 pF
漏源极电压Vds 55 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD65N55LF3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STD65N55LF3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD65N55LF3 | ST Microelectronics 意法半导体 | 55V,80A,N沟道MOSFET | 搜索库存 |