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SGB02N120ATMA1

SGB02N120ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚

IGBT NPT 1200 V 6.2 A 62 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2


得捷:
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3


e络盟:
单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263 D2PAK, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 6.2A 3-Pin2+Tab TO-263 T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


SGB02N120ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 62 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 62 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 62000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGB02N120ATMA1引脚图与封装图
SGB02N120ATMA1引脚图

SGB02N120ATMA1引脚图

SGB02N120ATMA1封装焊盘图

SGB02N120ATMA1封装焊盘图

在线购买SGB02N120ATMA1
型号 制造商 描述 购买
SGB02N120ATMA1 Infineon 英飞凌 单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚 搜索库存