SD1013-03

Microsemi(美高森美) 分立器件

射频微波晶体管108-152兆赫的应用 RF MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHZ APPLICATIONS

RF NPN 35V 1A 150MHz 13W 底座安装 M113

得捷:
RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113

艾睿:
Trans RF BJT NPN 35V 1A 4-Pin Style M113

SD1013-03中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 13000 mW

击穿电压集电极-发射极 35 V

增益 10 dB

最小电流放大倍数hFE 10 @200mA, 5V

额定功率Max 13 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 13000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 M113

外形尺寸

高度 7.11 mm

封装 M113

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SD1013-03引脚图与封装图

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