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SPD15P10P G

SPD15P10P G

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  SPD15P10P G  晶体管, 射频FET, -100 V, -15 A, 128 W, TO-252

The is a -100V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.

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Enhancement mode
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Avalanche rated
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dv/dt Rated
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AEC-Q101 qualified
SPD15P10P G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 128 W

上升时间 23 ns

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Motor Drive & Control, Power Management, Consumer Electronics, Onboard charger, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

SPD15P10P G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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