SI7956DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI7956DP-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7956DP-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7956DP-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 8Pin PowerPAK SO T/R | 搜索库存 |