SI6433BDQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 P-Channel
漏源极电压Vds -12.0 V
连续漏极电流Ids -4.80 A
封装参数
引脚数 8
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI6433BDQ-T1-E3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI6433BDQ-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET P-CH 12V 4A 8Pin TSSOP T/R | 搜索库存 |