SI3460DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.1 W
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 6.80 A
上升时间 30 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI3460DV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3460DV-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |