SIR698DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.162 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 23 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 210pF @50VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 23 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIR698DP-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SIR698DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR698DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 0.162 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |