SQD19P06-60L-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 46 W
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
封装 TO-252
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQD19P06-60L-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQD19P06-60L-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQD19P06-60L-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -60 V, 0.046 ohm, -10 V, -1.5 V | 搜索库存 |