SI4386DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 9.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.47 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SI4386DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4386DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4386DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4386DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 16A, SOIC, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号SI4386DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI4386DY-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel 30V 16A | 当前型号 | VISHAY SI4386DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 16A, SOIC, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： IRF8736PBF 品牌： 国际整流器 封装： SOIC N-Channel 30V 18A | 功能相似 | INTERNATIONAL RECTIFIER IRF8736PBF 场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC 新 | SI4386DY-T1-GE3和IRF8736PBF的区别 |