SI7613DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0072 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 52.1 W
输入电容Ciss 2620pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI7613DN-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7613DN-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7613DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7613DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0072 ohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号SI7613DN-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7613DN-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK P-Channel | 当前型号 | VISHAY SI7613DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0072 ohm, -4.5 V, -1 V | 当前型号 |
| 型号： SI7615ADN-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK P-Channel | 功能相似 | VISHAY SI7615ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0035 ohm, -10 V, -400 mV | SI7613DN-T1-GE3和SI7615ADN-T1-GE3的区别 |