SI4456DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 33.0 A
输入电容Ciss 5670pF @20VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.55 mm
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4456DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4456DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4456DY-T1-E3 晶体管, N沟道 | 搜索库存 |