锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2309CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 285 mohm, -10 V, -1 V

The is a P-Channel 60V Power MOSFET with ±20V gate source voltage. It works on TrenchFET® power MOSFET technology.

.
Halogen-free

欧时:
### P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
SI2309CDS Series P-Channel 60 V 0.345 Ohm Power MosFet Surface Mount - SOT-23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2309CDS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -1.6 A, -60 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1 V


SI2309CDS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.36 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.7 W

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 210pF @30VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Signal Processing, 信号处理, 音频, Audio

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

SI2309CDS-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI2309CDS-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2309CDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.6 A, -60 V, 285 mohm, -10 V, -1 V 搜索库存