SI7456DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
上升时间 10 ns
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1900 mW
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
高度 1.04 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI7456DP-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7456DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI7456DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 5.7A, 100V, 21mohm, 10V, 2V | 搜索库存 |