电路数 1
耗散功率 3 kW
钳位电压 209 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 159 V
脉冲峰值功率 3000 W
最小反向击穿电压 144 V
击穿电压 144 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AB
封装 DO-214AB
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SMLJ130CA 品牌: Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装: DO-214AB | 当前型号 | 双向 130V | 当前型号 | |
型号: SMLJ130C 品牌: MDE Semiconductor 封装: | 功能相似 | DO-214AB 130V 3000W | SMLJ130CA和SMLJ130C的区别 | |
型号: SMLJ130C-TP 品牌: 美微科 封装: | 功能相似 | Diode TVS Single Bi-Dir 130V 3kW 2Pin SMC T/R | SMLJ130CA和SMLJ130C-TP的区别 | |
型号: SMLJ130CATR 品牌: 美高森美 封装: | 功能相似 | DO-214AB 130V 3000W | SMLJ130CA和SMLJ130CATR的区别 |