STF60N55F3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 8.5 mΩ
耗散功率 30 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
下降时间 11.5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF60N55F3引脚图与封装图
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在线购买STF60N55F3
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STF60N55F3 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道55 V , 6.5毫欧, 80 A, DPAK , IPAK , D2PAK , I2PAK , TO- 220 TO- 220FP的STripFET ? III功率MOSFET N-channel 55 V, 6.5 mΩ, 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET? III Power MOSFET | 搜索库存 |