STS8DNH3LL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 8.00 A
通道数 2
漏源极电阻 22 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 14.5 ns
输入电容Ciss 857pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS8DNH3LL引脚图与封装图 
STS8DNH3LL引脚图
STS8DNH3LL封装图
STS8DNH3LL封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS8DNH3LL | ST Microelectronics 意法半导体 | 双N沟道30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO - 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET Dual n-channel 30 V - 0.018 Ω - 8 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFET | 搜索库存 |